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IXTY08N100D2中文资料

IXTY08N100D2图片

IXTY08N100D2外观图

  • 大小:178KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
  • 标准包装:70
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:800mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:21 欧姆 @ 400mA,0V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:14.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:325pF @ 25V
  • 功率 - 最大:60W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
  • 包装:管件

IXTY08N100D2供应商

更新时间:2022-12-31 05:44:51
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